Revista >> Martie-Aprilie 2012 [Nr. 143] >> Cercetare

În cadrul a două meetinguri de proiecte FP7, IMT a reunit la Bucureşti parteneri din elita cercetării europene

Redactia

17 Martie 2012

Meeting proiect FP7 - SMARTPOWER

În zilele de 27-28 februarie 2012 a avut loc la IMT Bucureşti meeting-ul proiectului integrat FP 7. nr. 28880 „Dispozitive electronice de putere integrate pe GaN & SiC pentru aplicaţii RF şi industriale” („Smart integration of GaN & SiC high power electronics for industrial and RF applications), acronim SMARTPOWER (2011 – 2014)
www.project-smartpower.com.

Coordonatorul proiectului este firma Thales SA – Thales Research & Technology, Paris, Franţa, una din cele mai mari companii europene în domeniul high-tech, care dezvoltă sisteme de comunicaţii bazate pe tehnologii de ultimă generaţie, sisteme de control al traficului aerian etc.
Consorţiul este format din 15 parteneri europeni, printre care şi 9 firme: Thales Systemes Aeroportes, Franţa; Commissariat à l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives – LITEN, Franţa; Schneider Electric Industries, Germania; Infineon Technologies AG, Germania; Micropelt GmbH, Germania; Fraunhofer-gesellschaft zur foerderung der Angewandten forschung e.v, Germany; Technische Universitaet Chemnitz, Germany; TAIPRO Engineering SA, Belgia; SHT Smart High-Tech AB, Suedia; Chalmers Technical University, Sweden; IMT-Bucureşti, România; FORTH Heraklion, Grecia; Budapest University of Technology and Economics, Ungaria.

Proiectul are ca obiective implementarea de module de putere pentru comunicaţii (sisteme de emisie-recepţie) în domeniul microundelor, bazate pe noi compuşi semiconductori precum carbura de siliciu (SiC) şi nitrura de galiu (GaN). Aceste materiale sunt ideale în domeniul frecvenţelor înalte, fiind capabile să funcţioneze la temperaturi ridicate şi putând opera puteri mult mai mari decât dispozitivele de siliciu şi GaAs.

Meeting proiect FP7 - SMARTPOWER

Obiectivele principale vor fi îndeplinite prin:

- dezvoltarea tehnologiei pentru integrarea modulelor de microunde de putere pe bază de SiC şi GaN în sisteme de mare eficienţă; realizarea unui senzor de temperatură integrat bazat pe rezonatoare de tip SAW pe GaN.
- dezvoltarea de noi tehnici 3D de încapsulare şi arhitecturile asociate de integrare a cipurilor, împreună cu tehnologiile corespunzătoare, într-o manieră viabilă şi costuri efective reduse.

Consorţiul proiectului Smartpower întruneşte competenţele necesare pentru introducerea pe piaţă a acestor noi tehnologii şi a viitoarelor produse. IMT-Bucureşti participă activ în 6 din cele 7 workpackage-uri.

Rezultate promiţătoare pentru obţinerea de materiale funcţionale la temperaturi ridicate

Rolul IMT constă în proiectarea, reali-zarea şi caracterizarea senzorului de temperatură, pe bază de rezonatori de tip SAW şi integrarea acestuia alături de front-end-ul de emisie-recepţie. De asemenea, IMT va fi implicat în proiectarea, realizarea, caracterizarea antenei de emisie în varianta fără fir a senzorului. Se vor dezvolta măşti, procese nanolitografice, metalizări şi caracterizare în microunde.

La întâlnirea de proiect din 27-28 februarie 2012 organizată de IMT Bucureşti, coordonatorul Dr. Afshin Ziaei (Thales TRT) a prezentat progresele obţinute în primele cinci luni ale proiectului.

Dr. Alexandru Muller, coordonatorul echipei IMT Bucureşti, a prezentat rezultatele obţinute de IMT: proiectarea şi realizarea structurilor de SAW destinate senzorului de temperatură, structuri test pe GaN având dimensiuni ale distanţelor interdigiti de 200 nm şi 130 nm, utilizând procese nanolitografice, măsurătorile le-gate de variaţia frecvenţei de rezonanţă cu temperatura în domeniul 20-130 oC. Rezultatele sunt deosebit de promiţătoare, obţinându-se sensitivităţi de peste 280 kHz/ oC pentru structurile test de SAW pe GaN/Si cu dinţi de 200 nm.

IMT Bucureşti mai este implicat, alături de firma ThalesTRT în două proiecte ENIAC, precum şi într-un alt proiect integrat FP7.

Drd. Alina Bunea prezentând rezultatele colectivului din IMT în cadrul întâlnirii de proiect MEMS-4-MMIC din 1-2 martie 2012

Etapă nouă în proiectarea de microsisteme de recepţie cu performanţe superioare

În zilele de1-2 martie 2012 a avut loc la IMT Bucureşti întâlnirea periodică din cadrul proiectului FP7-STREP nr. 224101 „Dezvoltarea tehnologiilor MEMS-MMIC pentru integrarea sistemelor RF multifuncţionale“ (Enabling MEMS-MMIC technology for cost-effective multifunctional RF-system), acronim MEMS-4-MMIC (2008-2012)
www.mems4mmic.com.

Membrii consorţiului sunt instituţii de elită, consacrate în cercetarea ştiinţifică europeană: IMST GmbH Germania (coordonator), Swedish Defence Research Agency FOI Suedia, Technical Research Centre of Finland VTT Finlanda, OMMIC Franţa, SAAB Microwave Systems Suedia, Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Microtehnologii-IMT Bucureşti România, şi Institut d’Electronique de Microélectonique et de Nanotechnologie IEMN Franţa.